知识星球（星球名：芯片制造与封测社区）里的学员问：diffusion工序，所需要的气体种类有哪些？
Diffusion是什么工序？

"Diffusion"工序是通过热能将掺杂剂原子扩散到硅片中，以形成p型或n型硅。掺杂在半导体制造中有离子注入与扩散两个工序。扩散是用扩散炉来完成工艺，离子注入工序则需要离子注入机。扩散主要的工艺参数有：温度，时间，气体种类及流量等。 Diffusion气体的分类依据？

掺杂工序主要掺杂的是ⅢA族与ⅤA族元素，掺ⅢA族元素形成P型硅，掺ⅤA族元素形成N型硅；有时也会掺杂一些四价的Ge，六价的碲（Te），硫。从元素周期表中可以看到：用于形成P型硅的常见元素为：硼（B）
用于形成N型硅的常见元素为：磷（P），砷（As）,锑（Sb）其他元素：Ge，Te，硫
因此，围绕这些元素，我们需要找到能够提供这些元素的物质。一般我们会选择这些元素的氢化物，氯化物，烃基化物等，如磷化氢（PH3）：用于n型掺杂。乙硼烷（B2H6）：用于p型掺杂。氢化锗（GeH4）：用作掺杂前体或用于沉积锗薄膜。三氯化砷（AsCl3）：用于n型掺杂。三氟化砷（AsF3）：用于n型掺杂。硫化氢（H2S）：用于掺硫制备n型半导体材料。氟化硼（BF3）：用于p型掺杂。三氯化硼（BCl3）：用于p型掺杂。氢化硒（SeH2）：用于掺杂或沉积硒化物。氢化锑（SbH3）：用于n型掺杂。二甲基碲（(CH3)2Te）：用于掺杂或沉积碲化物。二甲基镉（(CH3)2Cd）：用于掺杂或沉积镉化物。二乙基镉（(C2H5)2Cd）：用于掺杂或沉积镉化物。三氯化磷（PCl3）：用于n型掺杂。二乙基碲（(C2H5)2Te）：用于掺杂或沉积碲化物。砷化氢（AsH3）：用于n型掺杂。 为什么选择的氢化物较多？1，氢化物在硅中的扩散能力较强，能够在较低的扩散温度下有效地掺杂2，氢化物具有较高的挥发性。3，受热易分解

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